技术突破
★ 超低金属杂质：Na/K含量<1ppm，满足G5电子级标准
★ 低温聚合特性：80℃即可引发反应，兼容柔性基板工艺
★ 介电强化：固化后介电常数<2.8（1MHz），优于传统SiO2

解决方案

1. 芯片封装：

   • 作为Low-k介质层前驱体，降低RC延迟

   • 提升3D封装TSV结构的阶梯覆盖性

2. 电子胶粘剂：

   • 改性环氧树脂，使导热系数达1.5W/mK

   • 固化收缩率<0.3%，减少封装应力

性能对比