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在芯片制造、光纤预制棒合成的尖端领域,材料的纯净度直接决定了产品的性能极限。艾约塔IOTA高纯四氯化硅(TET),以 ≥99.9999% 的超高纯度与 ≥500 Ω·cm 的电阻率表现,为半导体沉积、光纤芯层制备等关键工艺提供安全、可靠、一致的高品质原料保障。
极致纯度,性能可靠
纯度 ≥99.9999%(6N级),满足先进制程对杂质控制的严苛要求
关键杂质含量极低:B≤0.1ppb、As/P≤0.08ppb、C<0.2ppb
电阻率 ≥500 Ω·cm,保障沉积膜层的电学性能一致性
金属杂质严格受控
Fe、Ni、Cr等过渡金属杂质分别控制在 ppb 级
有效降低晶格缺陷,提升器件良率与可靠性
包装专业,输送安全
采用 316L不锈钢高洁净容器,防止二次污染
提供 45L、250L、900L 三种规格,对应充装 45kg、300kg、1000kg
阀门标配 1/2"、1/4" VCR接口,兼容主流输送系统,支持定制化包装与接口方案
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 纯度 | ≥99.9999% |
| 电阻率 | ≥500 Ω·cm |
| 其他氯硅烷 | <1 ppm |
| 硼 (B) | ≤0.1 ppb |
| 砷/磷 (As/P) | ≤0.08 ppb |
| 碳 (C) | <0.2 ppb |
| 铁 (Fe) | <2 ppb |
| 镍 (Ni) | ≤2 ppb |
| 铬 (Cr) | ≤1 ppb |
半导体制造
外延沉积(Epitaxy)硅源
化学气相沉积(CVD)前驱体
高纯度多晶硅制备原料
光纤通信
光纤预制棒芯层合成
掺杂石英玻璃制备
特种材料合成
高纯二氧化硅气相沉积
特种陶瓷与前驱体合成
光伏与电子特气配套
容器材质:316L不锈钢,内表面电解抛光(EP级),超高洁净度
规格选择:
45L瓶装 → 充装45kg
250L瓶装 → 充装300kg
900L瓶装 → 充装1000kg
阀门配置:1/2"、1/4" VCR接口,支持氦质谱检漏
定制服务:可根据工艺需求提供特定包装、阀门与输送解决方案